据集邦咨询援引ZDNet周二报道，业内消息人士透露，SK海力士正推进一项封装架构改良方案，核心措施包括增加DRAM芯片厚度以及缩小DRAM层间距，目前该技术正处于验证阶段。若成功实现商业化，这一方案有望帮助SK海力士达成英伟达对第六代HBM4设定的顶级性能指标，并为后续产品的性能提升奠定基础。
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